博世創(chuàng)業(yè)投資公司投資致能科技，加速第三代半導體布局
2022-9-14 來源：博世 作者：-
以高性能GaN器件應對能源管理挑戰(zhàn)
中國，上海——隸屬于博世集團的羅伯特•博世創(chuàng)業(yè)投資公司（以下簡稱“博世創(chuàng)投”）已完成對廣東致能科技有限公司（以下簡稱“致能科技”）的Pre-A輪投資。致能科技總部位于廣州，是國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。憑借其在氮化鎵器件領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和創(chuàng)新技術(shù)，致能科技致力于研發(fā)新一代氮化鎵功率器件，在現(xiàn)有基礎(chǔ)上全面提升氮化鎵工作電壓、導電能力、開關(guān)頻率等關(guān)鍵性能參數(shù)，助力實現(xiàn)更高效的功率管理系統(tǒng)。
根據(jù)市場研究機構(gòu)Yole Développement最新報告，全球功率半導體市場預計將由2020年的175億美元增長至2026年的262億美元，未來5年年均復合增長率達到7%。全球碳中和的共識帶來了綠色能源管理、新能源汽車、可再生能源等領(lǐng)域的更高需求，而氮化鎵芯片正是實現(xiàn)上述目標的關(guān)鍵技術(shù)。
“中國是全球最大的同時也是增長最快的功率半導體市場，氮化鎵則是實現(xiàn)下一代功率系統(tǒng)進而實現(xiàn)碳中和的關(guān)鍵技術(shù)之一。憑借著工藝和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，致能科技將更加充分的發(fā)揮出氮化鎵在功率領(lǐng)域的技術(shù)潛力，”博世創(chuàng)投投資合伙人及中國區(qū)業(yè)務(wù)負責人孫曉光表示，“對致能科技的投資將進一步豐富我們在第三代半導體領(lǐng)域的布局。”
氮化鎵材料的BFOM（Baliga Figure of Merit，系用于評價功率半導體材料綜合性能的最常用指標之一）參數(shù)分別達到硅材料的2400倍、碳化硅材料的5倍。由于其優(yōu)異的材料性能以及制造工藝上的長足進步，氮化鎵功率器件近年來正在快速進入快充、電源、IDC（Internet Data Center）等市場。盡管如此，由于器件結(jié)構(gòu)的限制，氮化鎵材料的優(yōu)勢仍遠未得到充分發(fā)揮，基于氮化鎵材料的功率器件性能仍有巨大的提升空間。致能科技在氮化鎵設(shè)備、工藝、器件以及系統(tǒng)設(shè)計等各領(lǐng)域擁有全棧式的技術(shù)積累。憑借其在工藝及器件的底層創(chuàng)新，致能科技將進一步加速氮化鎵的市場滲透，并逐漸將其應用領(lǐng)域擴展至汽車及工業(yè)市場。博世創(chuàng)投將與其它股東一起，共同為致能科技團隊持續(xù)提供有力支持，助力中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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